IC封装基板技术

                              IC封装基板技术

随着电子产品微小型化、多功能化和信号传输高频高速数字化，要求PCB迅速走向高密度化、高性能化和高可靠性发展。为了适应这个要求，不仅PCB迅速走向HDIBUM板、嵌入（集成）元件PCB等，而且IC封装基板已经迅速由无机基板（陶瓷基板）走向有机基板（PCB板）。有机IC封装基板是在HDI/BUM板的基础上继续‘深化（高密度化）’而发展起来的，或者说IC封装基板是具更高密度化的HDI/BUM板。

1 封装基板的提出及其类型

1.1 有机封装基板的提出

封装基板是用于把多个一级（可用二级）封装IC组件再封（组）装形成更大密度与容量的一种基板。由于这类基板的封装密度很高，因此，其尺寸都不大，大多数为≤50*70mm2。过去主要是采用陶瓷基板，现在迅速走向高密度PCB封装基板。

（1）陶瓷封装基板。

陶瓷封装基板的应用已有几十年的历史了，基优点是CTE较小，导热率较高。但是，随着高密度化、特别是信号传输高频高速数字化的发展，陶瓷封装基板遇到了严厉的挑战。

①介电常数εr大（6∽8）。

信号传输速度V是由来介电常数εr决定的，如下式可得知。

V=k·C/(εr)1/2

其中：k——为常数；C——光速。这就是说，采用较小的介电常数εr，就可以得到较高的信号传输速度。还有特性阻抗值等问题。

②密度低。L/S≥O.1mm，加上厚度厚、孔径大，不能满足IC高集成度的要求。

③电阻大。大多采用钼形成的导线，其电阻率（烧结后）比铜大三倍多或更大，发热量大和影响电气性能。

④基板尺寸不能大，影响密度和容量提高。由于陶瓷基板的脆性大，不仅尺寸不能大，

而且生产、组装和应用等都要格外小心。

⑤薄型化困难。厚度较厚，大多数为1mm以上。

⑥成本高。

（2）有机（PCB）基板。

有机（PCB）基板，刚好与陶瓷封装基板相反。

①介电常数εr小（可选择性大，大多用3∽4的材料）。

②高密度化好。L/S可达到20∽50μm，介质层薄，孔径小。

③电阻小。发热低，电气性能好。

④基板尺寸可扩大。大多数为≤70*100mm2。

⑤可薄型化，目前，双面/四层板，可达到100∽300μm。

⑥成本低。

在1991年，由日本野洲研究所开发的用于树脂密封的倒芯片安装和倒芯片键合（连接）的PCB和HDI/BUM板，这些有机封装基板和HDI/BUM板等比陶瓷基板有更优越的的有利因素和条件，使它作为IC的裸芯片封装用基板是非常合适的，特别是用于倒芯片（FC）的金属丝的封装上，既解决了封装的CTE匹配问题，又解决了高密度芯片的安装的可行性问题。